80% Targed Sputtering Titaniwm Twngsten
Mae sglodion lled-ddargludyddion yn defnyddio targedau sputtering metel i alluogi gwifrau metel i drosglwyddo gwybodaeth ar y sglodyn. Y broses sputtering benodol yw: yn gyntaf, defnyddiwch gerrynt ïon cyflym i beledu arwynebau gwahanol fathau o dargedau sputtering metel o dan wactod uchel, fel bod atomau ar y gwahanol arwynebau targed yn cael eu hadneuo fesul haen ar wyneb y sglodion lled-ddargludyddion, ac yna caiff yr atomau eu hadneuo fesul haen ar wyneb y sglodion lled-ddargludyddion trwy dechnoleg prosesu arbennig. Mae ffilmiau metel sy'n cael eu hadneuo ar wyneb y sglodyn yn cael eu hysgythru i wifrau nanometrig sy'n cydgysylltu'r cannoedd o filiynau o dransisorau bach y tu mewn i'r sglodyn i drawsyrru signalau. Mae'r targedau chwistrellu metel a ddefnyddir yn y diwydiant hwn yn bennaf yn cynnwys targedau sbuttering purdeb uchel fel copr, tantalwm, alwminiwm, titaniwm, cobalt, a thwngsten, yn ogystal â thargedau chwistrellu metel aloi fel nicel-platinwm, twngsten-titaniwm, ac ati.
80% WTi
Mae targedau copr a thargedau tantalwm yn cael eu defnyddio gyda'i gilydd fel arfer. Ar hyn o bryd, mae gweithgynhyrchu wafferi yn symud tuag at miniaturization, ac mae cymhwyso technoleg gwifren gopr yn cynyddu'n raddol. Felly, disgwylir i'r galw am dargedau copr a tantalwm barhau i dyfu. Defnyddir targedau alwminiwm a thargedau titaniwm yn aml gyda'i gilydd. Ar hyn o bryd, mewn sglodion electronig modurol a meysydd eraill sydd angen nodau technoleg uwch na 110Nm i sicrhau eu sefydlogrwydd a'u gwrth-ymyrraeth, mae angen defnyddio targedau alwminiwm a thitaniwm yn helaeth o hyd.
80% Cyflenwr Targed Sputtering Twngsten
Y broses dyddodiad anwedd corfforol (PVD) a ddefnyddir wrth gynhyrchu sglodion VLSI, paneli crisial hylifol a chelloedd solar ffilm denau. Mae'r targedau a ddefnyddir i baratoi deunyddiau ffilm tenau electronig yn cynnwys targedau alwminiwm, targedau titaniwm, targedau tantalwm, targedau twngsten-titaniwm a thargedau metel eraill.
